SQM40014EM_GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SQM40014EM_GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.98 |
10+ | $2.677 |
100+ | $2.1931 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263-7 |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1mOhm @ 35A, 10V |
Verlustleistung (max) | 375W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15525 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 200A (Tc) |
Grundproduktnummer | SQM40014 |
SQM40014EM_GE3 Einzelheiten PDF [English] | SQM40014EM_GE3 PDF - EN.pdf |
RES 8.2K OHM 5% 3W RADIAL
RES 910 OHM 5% 3W RADIAL
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
RES 8.2 OHM 5% 3W RADIAL
RES 91 OHM 5% 3W RADIAL
MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7
RES 9.1 OHM 5% 3W RADIAL
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
MOSFET N-CH 40V 150A TO263
MOSFET N-CH 300V 35A TO263
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
MOSFET N-CH 40V 150A TO263-7
RES 9.1K OHM 5% 3W RADIAL
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
RES 91K OHM 5% 3W RADIAL
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SQM40014EM_GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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